중국이 삼성전자 기술 빼앗아 D램 개발…前 직원 등 법정에 서다

불법적으로 유출된 삼성전자의 핵심 반도체 기술이 중국 반도체 업체에 이용돼 중국 최초의 D램 개발 사례가 드러났다. 중국 반도체사 개발 책임자 등 관계자 3명이 국가핵심기술부정취득 혐의로 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 중국 소재 반도체 회사 청신메모리반도체(CXMT) 개발 실장 양모 씨와 팀장 신모 씨, 팀 수석 연구원 권모 씨 등 3명을 구속기소했다. 검찰에 따르면 CXMT는 중국 지방정부가 약 2조6000억원을 투자해 설립한 회사다. 해당 기업은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노급 D램의 공정 기술 자료를 기반으로 제품 개발을 진행했다.

검찰은 삼성전자에서 근무했던 전직 임원과 연구원이 기술 유출에 관여한 정황을 파악해 수사에 착수했다. 특히 일부 전직 직원이 퇴직 이후 CXMT로 영입돼 삼성전자의 핵심기술 자료를 부정 취득한 사실을 확인했다. 유출된 기술은 D램 제조 공정의 수백 단계 정보를 포함한 국가핵심 기술로 평가된다.

검찰 조사 결과, CXMT는 해당 자료를 활용해 2023년 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공한 것으로 밝혀졌다. 개발 실장과 팀장, 수석 연구원은 이 과정에서 삼성전자에서 받던 연봉보다 3~5배 높은 수준의 보수를 약속받은 것으로 조사됐다.

수사 당국은 이 사건이 삼성전자에 미친 손해 규모를 지난해 추정 매출 감소액만 약 5조원에 달할 뿐만 아니라 향후 수십조원에 이를 가능성이 있다고 설명했다. 검찰은 국가 경제 및 기업 경쟁력을 위협하는 기술 유출 범죄에 대해 엄정 대응할 것이라고 밝혔다.

이 기술 유출 사건과 관련해 인터폴 적색 수배 중인 피의자가 포함되어 있으며, 유출 경위와 공정 과정에 대한 추가 수사가 진행 중이다.